Однако на практике это происходит редко, так как граница раздела между двумя материалами обычно имеет неровности и несовершенства. Чем менее ровная граница и чем больше дефектов она имеет, тем более хаотичным будет движение электронов после столкновения. Это вызывает появление другого механизма рассеяния, что приводит к уменьшению подвижности носителей точно таким же образом, как при рассеянии на тепловых колебаниях кристаллической решетки и ионизированных атомах примеси. Последние достижения в области технологии полупроводниковых материалов позволили улучшить качество подготовки поверхности полупроводниковых пластин. Благодаря этому незначительное уменьшение подвижности носителей при больших напряжениях на затворе не оказывает влияния на работу большинства типов МДП-транзисторов, выпускаемых в настоящее время промышленностью. Обычно характеристики МДП-транзисторов при высоких напряжениях на затворе ухудшаются. Часто это обусловлено существованием сопротивления, которое ослабляет любой эффект, приводящий к уменьшению подвижности.