– напряжение питания – от 2,5 до 5,5 В;

– коррекция хода календаря на 100 лет;

– автоматическая коррекция високосного года.

В качестве скоростной буферной памяти будет использована микросхема IDT71V424S15YI, которая представляет собой высокоскоростное статическое ОЗУ организованное 512 к × 8 бит. Она произведена по фирменной высокопроизводительной и очень надежной технологии фирмы Integrated Device Technology (IDT). В неактивном режиме имеет низкое энергопотребление. Основные характеристики микросхемы:

– минимальная длительность сигнала записи – 15 нс;

– время выборки адреса – не более 12 нс;

– напряжение питания 3,3 В;

– время перехода в активный/неактивный режим – 6 нс;

– температурный диапазон хранения данных – от минус 55 до +125 °С.

Цифровая часть системы выполнена на базе ПЛИС. Это удобная в освоении и применении элементная база, альтернативы которой в данном случае не существует. Последние годы характеризуются резким ростом плотности упаковки элементов на кристалле и резким падением цен на ПЛИС, что позволило широко применять ПЛИС в системах обработки сигналов. Высокое быстродействие и упаковка на кристалле достаточного объёма памяти однозначно определили выбор ПЛИС.

В разработанной системе применена микросхема ПЛИС EPF10K30AQI240-3 фирмы Altera Corporation семейства FLEX 10KA. Такой выбор обусловлен тем, что семейство FLEX10KA является наиболее доступным. Только это семейство имеет градацию скорости 3, которая удовлетворяет необходимым требованиям. Выбранная ПЛИС имеет 6 встроенных блоков памяти емкостью 2048 бит, корпус TQFP-240 коммерческого исполнения. Напряжение питания микросхемы EPF10K30AQI240-3 составляет +3,3 В. Данная микросхема обеспечивает достаточное быстродействие и обладают необходимым для системы регистрации данных объемом встроенных блоков памяти ЕАВ. Микросхемы EPF10K30AQI240-3 поддерживает программирование и реконфигурирование в системе, это означает, что программирование проходит в составе системы без использования программатора на смонтированной плате, причем программирование ПЛИС или конфигурационного ПЗУ может производиться многократно. Программирование производится по стандартному JTAG интерфейсу (используется стандарт IEEE Std. 1149.1-1990). Для программирования и загрузки конфигурации ПЛИС используется кабель ByteBlasterMV.

Так как выбранная микросхема ПЛИС выполнена по технологии SRAM, требующей загрузки конфигурации при включении питания, в системе необходимо использовать конфигурационное ПЗУ. В качестве конфигурационного ПЗУ была выбрана микросхема EPC2TI32, которая, так же как и ПЛИС, поддерживает программирование в системе по стандарту JTAG.

Основной накопитель выполнен на базе микросхемы ФЛЭШ K9K49G08U0M емкостью 4 Гбит с резервом емкостью 128 Мбит организованы как 512 М × 8 бит. Технология И-НЕ обеспечивает наилучшее соотношение «цена-качество» на рынке полупроводниковых запоминающих устройств. Операция записи страницы объемом 2112 байт может быть выполнена за 200 мкс. Операция стирания блока объемом 128 Кбайт может быть выполнена за 2 мс. Данные со страницы данных могут быть прочитаны циклами по 30 нс на байт. Выводы I/O служат как двунаправленный порт для ввода команд, адреса и ввода/вывода данных. Внутренний контроллер записи автоматизирует все функции записи и стирания, включая частоту повторения импульсов там, где это необходимо, а также внутреннюю верификацию и ограничение данных. Даже интенсивно записывающие системы могут воспользоваться преимуществами расширенной достоверности 100 Kциклов записи/стирания K9K4G08U0M, обеспечивая ЕСС (код исправления ошибок) по алгоритму отображения в реальном времени. Микросхемы K9K4G08U0M являются оптимальным решением для применения в разрабатываемой системе регистрации данных в качестве твердотельного накопителя большого объема памяти.