Величины Icнac0 и Vнac.
Возвращаясь к уравнению (2.6) и подставляя в него n/T вместо мы видим, что температурный коэффициент тока
будет равен нулю у любого прибора, который удовлетворяет принятым нами допущениям и у которого напряжение перекрытия канала определяется выражением
(2.12)
Теперь необходимо найти величину M2/n. Хорошим приближением для кремниевых полевых транзисторов, изготовляемых посредством двойной диффузии, является М2= –2. Мы могли бы воспользоваться значениями n, многократно упоминаемыми в литературе, однако эти значения лежат в пределах от 1,7 до 2,7, поскольку температурная зависимость подвижности зависит от концентрации примесей в исследуемом образце. Необходимо найти величину n, соответствующую концентрациям примесей, имеющихся обычно в канале полевого транзистора. Эту величину можно получить из графика зависимости от температуры для полевого транзистора с высоким напряжением . перекрытия канала, т. е. для такого прибора, у которого
не оказывает заметного влияния на
. Такой график приведен на рис. 32, и из него можно заключить, что хорошим приближением для n является значение 2. Это, конечно, очень удачно, так как при таком значении n с хорошим приближением можно считать, что M2/n= –1. Тогда при T = 300° К
равно нулю у любого транзистора, у которого напряжение перекрытия канала равно 0,6 в.
Вообще говоря, величину Vнac трудно измерить непосредственно. Рассмотрим характеристики передачи, показанные на рис. 33. В масштабе рисунка трудно даже установить, где же отложено это .напряжение. Когда канал полностью перекрыт, в нем течет только небольшой ток утечки, и исследователю необходимо измерять медленно изменяющийся с напряжением очень небольшой по величине ток (составляющий иногда всего десятые доли наноампера) и определять, при каком значении напряжения затвор — исток этот ток перестает изменяться. Это настолько затруднительно, что целесообразнее определять величину Ушс косвенным путем, измеряя и gmмакс При одном и том же смещении и вводя в расчеты близкое к истинному значение М2. Например, для полевого транзистора, полученного с помощью двойной диффузии, М2= –2. Для приборов с квадратичной характеристикой напряжение Vнac можно также определять путем измерения напряжения Vзи при некотором токе стока, меньшем, чем
; величину Vнac при этом подсчитывают, пользуясь уравнением (1.54).
Удобной величиной для измерений является ток равный 1/10 тока
; расчетное значение напряжения перекрытия канала получается при этом равным
Vнac =1,46 Vзи при = 0,1